WB-MAP12E Revisions: различия между версиями

Нет описания правки
(Внесена партия v1.10A)
Строка 6: Строка 6:
|v1.10A - ...
|v1.10A - ...
|08.2023 - ...
|08.2023 - ...
|Незначительные внутренние изменения. Стандартная версия:
|
*на микроконтроллере GD32;
*Новые разъемы без боковых стенок.
*на токовых входах использованы резисторы с улучшенным ТКС (50ppm вместо 200ppm);
*стандартный вид серийных номеров и стандартная микросхема EEPROM (как в ревизии 1.8)
|-
|-
|-
|-
Строка 15: Строка 13:
|v1.9A, v1.9B, v1.9B/1
|v1.9A, v1.9B, v1.9B/1
|02.2023 - 05.2023
|02.2023 - 05.2023
|Незначительные изменения трассировки платы. Стандартная версия:
|
*на микроконтроллере GD32;
*Новая микросхема стабилизатора напряжения.
*на токовых входах использованы резисторы с улучшенным ТКС (50ppm вместо 200ppm);
*стандартный вид серийных номеров и стандартная микросхема EEPROM (как в ревизии 1.8)
|-
|-


Строка 24: Строка 20:
|v1.8A, v1.8B
|v1.8A, v1.8B
|12.2022 - 01.2023
|12.2022 - 01.2023
|Незначительные изменения трассировки платы. Стандартная версия:
|
*на микроконтроллере GD32;
*Новая микросхема памяти EEPROM, другой вид серийных номеров
*на токовых входах использованы резисторы с улучшенным ТКС (50ppm вместо 200ppm);
*новый стандартный вид серийных номеров;
*новая стандартная микросхема EEPROM; и установлена перемычка, чтобы она работала
|-
|-


Строка 34: Строка 27:
|v1.7O, v1.7O/2, v1.7P, v1.7Q
|v1.7O, v1.7O/2, v1.7P, v1.7Q
|01.2022 - 11.2022
|01.2022 - 11.2022
|Стандартная версия:
|
*на микроконтроллере GD32;
*На токовых входах использовали резисторы с улучшенным ТКС (50ppm вместо 200ppm)
*на токовых входах использованы резисторы с улучшенным ТКС (50ppm вместо 200ppm)
|-
|-
|v1.7
|v1.7
Строка 42: Строка 34:
|12.2021 - 01.2022
|12.2021 - 01.2022
|
|
*на микроконтроллере GD32
*Микроконтроллер GD32 вместо STM32.
|-
|-
|v1.7
|v1.7
Строка 48: Строка 40:
|09.2020 - 11.2021
|09.2020 - 11.2021
|
|
*первая ревизия
*Первая ревизия с измерительными АЦП ATM90E32AS
|-
|-
|}
|}
translator, wb_editors
4251

правка