WB-MAP3E Revisions: различия между версиями

WB-MAP3E Revisions (просмотреть исходный код)

Версия 16:15, 13 ноября 2023

531 байт убрано , 6 месяцев назад

Нет описания правки

Matveevrj

translator, wb_editors

4251

правка

@@ Строка 4: / Строка 4: @@
 |-
 |1.6
-|v1.6C, v1.6D, v1.6E - ...
+|v1.6E - ...
-|07.2023 - ...
+|09.2023 - ...
 |
-*На микроконтроллере STM32F031K6T6
+*Микроконтроллер GD32.
+|-
+|-
+|1.6
+|v1.6C, v1.6D
+|07.2023 - 08.2023
+|
+*Спецверсия на микроконтроллере STM32F031K6T6
 |-
 |1.6
@@ Строка 20: / Строка 27: @@
 |12.2022 - 03.2023
 |
-*Стандартная версия: на микроконтроллере GD32; на токовых входах использованы резисторы с улучшенным ТКС (50ppm вместо 200ppm)
+*Новая микросхема памяти EEPROM, другой вид серийных номеров
-*На микросхеме FRAM c 16Kb
-*Другой вид серийных номеров (изменена микросхема eeprom)
 |-
 |1.2
@@ Строка 28: / Строка 33: @@
 |01.2022 - 10.2022
 |
-*Стандартная версия: на микроконтроллере GD32; на токовых входах использованы резисторы с улучшенным ТКС (50ppm вместо 200ppm)
+*Микросхема памяти FRAM c 16Kb
-*На микросхеме FRAM c 16Kb
 |-
 |1.2
@@ Строка 35: / Строка 39: @@
 |12.2021
 |
-*Стандартная версия: на микроконтроллере GD32; на токовых входах использованы резисторы с улучшенным ТКС (50ppm вместо 200ppm)
+*Микроконтроллер GD32 вместо STM32.
 |-
 |1.3
@@ Строка 41: / Строка 45: @@
 |11.2021 - 11.2022
 |
-*на токовых входах использованы резисторы с улучшенным ТКС (50ppm вместо 200ppm)
+*На токовых входах использовали резисторы с улучшенным ТКС (50ppm вместо 200ppm)
 |-
 |-