WB-MDM3: Errata: различия между версиями

Орфография
(Орфография)
Строка 69: Строка 69:
Исправление не планируется в ближайшее время
Исправление не планируется в ближайшее время


 
=== ERRMDM04: Повышенный износ внутренней энергонезависимой памяти ===
 
=== ERRMDM04: Повышеный износ внутренней энергонезависимой памяти ===


'''Подверженные устройства'''  
'''Подверженные устройства'''  
Строка 79: Строка 77:
'''Описание'''
'''Описание'''


Любое изменение настроек и яркости (даже при долгом нажатии, когда яркость меняется с шагом 1) происходит запись состояния каналов во внутреннюю EEPROM память. Количество циклов записи/стирания по документации более 1 млн, такчто даже при такой частой записи это не опасно. Однако скорость износа нерационально высока.
Любое изменение настроек и яркости (даже при долгом нажатии, когда яркость меняется с шагом 1) происходит запись состояния каналов во внутреннюю EEPROM память. Количество циклов записи/стирания по документации более 1 млн, так что даже при такой частой записи это не опасно. Однако, скорость износа нерационально высока.


'''Запланированное исправление'''
'''Запланированное исправление'''
Строка 85: Строка 83:
Исправлено в [http://fw-releases.wirenboard.com/?prefix=fw/by-version/WB-MD/stable/2.3.0/ 2.3.0]
Исправлено в [http://fw-releases.wirenboard.com/?prefix=fw/by-version/WB-MD/stable/2.3.0/ 2.3.0]


Интервал записи не чаще чам 1 раз в секунду.
Интервал записи не чаще чем 1 раз в секунду.