16 809
правок
N.kulikov (обсуждение | вклад) |
(Орфография) |
||
Строка 69: | Строка 69: | ||
Исправление не планируется в ближайшее время | Исправление не планируется в ближайшее время | ||
=== ERRMDM04: Повышенный износ внутренней энергонезависимой памяти === | |||
=== ERRMDM04: | |||
'''Подверженные устройства''' | '''Подверженные устройства''' | ||
Строка 79: | Строка 77: | ||
'''Описание''' | '''Описание''' | ||
Любое изменение настроек и яркости (даже при долгом нажатии, когда яркость меняется с шагом 1) происходит запись состояния каналов во внутреннюю EEPROM память. Количество циклов записи/стирания по документации более 1 млн, | Любое изменение настроек и яркости (даже при долгом нажатии, когда яркость меняется с шагом 1) происходит запись состояния каналов во внутреннюю EEPROM память. Количество циклов записи/стирания по документации более 1 млн, так что даже при такой частой записи это не опасно. Однако, скорость износа нерационально высока. | ||
'''Запланированное исправление''' | '''Запланированное исправление''' | ||
Строка 85: | Строка 83: | ||
Исправлено в [http://fw-releases.wirenboard.com/?prefix=fw/by-version/WB-MD/stable/2.3.0/ 2.3.0] | Исправлено в [http://fw-releases.wirenboard.com/?prefix=fw/by-version/WB-MD/stable/2.3.0/ 2.3.0] | ||
Интервал записи не чаще | Интервал записи не чаще чем 1 раз в секунду. |