WB-MAP6S Revisions: различия между версиями

Текущая версия на 11:27, 27 марта 2024

Номер партии (Batch №) указан на наклейке на боковой поверхности корпуса или на печатной плате.

Ревизия	Партии	Дата выпуска	Отличия от предыдущей ревизии
1.5	v1.5C/1, v1.5D - ...	01.2024 - ...	Исправленна ошибка калибровки на производстве ERRMAP0012
1.5	v1.5A, v1.5B, v1.5C	07.2023 - 12.2023	Изменения в трассировке платы
1.3	v1.3A	03.2023	Новая микросхема памяти EEPROM, другой вид серийных номеров
1.2	v1.2D, v1.2E, v1.2E/2	02.2022 - 09.2022	Микроконтроллер GD32 вместо STM32. На токовых входах использованы резисторы с улучшенным ТКС (50ppm вместо 200ppm)
1.2	v1.2B, v1.2B/r	02.2021 - 07.2021	На измерительных микросхемах ATM90E32AS
1.2	v1.2A, v1.2C, v1.2C/K - ...	10.2020 - ...	С разъемными клеммниками DEGSON
1.1	260, v1.1A, v1.1B	07.2018 - 09.2020	Исправлена нумерация токовых каналов
1.0	214, 236	01.2018 - 06.2018	Первая версия: с разъемными клеммниками KEFA

@@ Строка 1: / Строка 1: @@
 {{DISPLAYTITLE:Ревизии устройства WB-MAP6S}}
+[[WB-MAP6S_Modbus_Power_Meter | '''Перейти на страницу устройства''']]
 {{Wbincludes:Revision}}
+|-
+|1.5
+|v1.5C/1, v1.5D - ...
+|01.2024 - ...
+|
+*Исправленна ошибка калибровки на производстве [[WB-MAP3E:_Errata#ERRMAP0012| ERRMAP0012]]
+|-
+|1.5
+|v1.5A, v1.5B, v1.5C
+|07.2023 - 12.2023
+|
+*Изменения в трассировке платы
 |-
 |1.3
 |v1.3A
-|03.2022 - ...
+|03.2023
 |
-*На микроконтроллере GD32;
+*Новая микросхема памяти EEPROM, другой вид серийных номеров
-*На измерительных микросхемах ATM90E32AS;
-*На токовых входах использованы резисторы с улучшенным ТКС (50ppm вместо 200ppm);
-*Другой вид серийных номеров (изменена микросхема eeprom)
 |-
 |1.2
@@ Строка 15: / Строка 25: @@
 |02.2022 - 09.2022
 |
-*На микроконтроллере GD32;
+*Микроконтроллер GD32 вместо STM32.
-*На измерительных микросхемах ATM90E36A;
 *На токовых входах использованы резисторы с улучшенным ТКС (50ppm вместо 200ppm)
 |-